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BJT工艺的线性稳压源(LDO)为什么多是PNP型晶体管?
2012-01-19 17:34:46   来源:   点击:

    BJT工艺的线性稳压源(LDO)为什么多是PNP型晶体管?在BJT工艺中,PNP晶体管的少子为空穴,迁移率不如电子,造成其beta值不高,另外,常见的结构主要是横向PNP,这样很占芯片面积,优势也不大,至于纵向PNP(VPNP),其掩模较多,成本也随之增加,那么在BJT工艺的线性稳压源中为什么多数晶体管是PNP型而不是常用的NPN型的呢?

    1 个答案

    • 答案 1:

      提问指的是 pass device 部分的设计么?我猜想你弄混淆了 LDO 和 Linear Voltage Regulator 两个不同的概念。 看一下这份资料吧:national.com/assets... 并非所有的线性稳压源(Linear Regulator)都采用 PNP 管的,独有 LDO 是这样的。这正是因为 LDO 是 Low Dropout(低压降)的意思。 注意到 NPN 和 PNP 在这样的接入工作方式中,Vce 值固有的差距,就会明白了吧。PNP 的优势就在于 Vce 的值非常小,所以才将它特别运用到 LDO 的设计中。 当然,似乎也有刻意用 NPN 来做 LDO 的设计的——这就是一种逆向思维了。因为 NPN 的正向压降很大,所以干脆利用这种特性,让原本的就不太大的正电压降过零值,达到负值。由此,就设计出了“反向”的 LDO。

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