近日，三星首次展示了3nm的制造工艺，并且将其公布于世，这是一颗256Mb（32MB）容量的SRAM存储芯片，而三星方面也分享了半导体产业的路线图，10nm后紧接着就是7nm和3nm，其余全是升级改善型的工艺，比如人们所熟知的5nm。
三星将在3nm工艺上第一次应用环绕栅极场效应晶体管技术，相对木目前的立体晶体管有着结构性的突破，再次实现了晶体管结构的突破。
三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，目前三星方面称，该芯片可以在明年量产，性能相比上一代有着30%的提升，而且功耗最多可降低50%。
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这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意，能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。
IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星（确切地说是Samsung Foundry）又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Mb（32MB）容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。
在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。
