全国政协教科卫体委员会副主任、国际半导体照明联盟主席曹健林致辞时指出，产业发展需要信心、决心，其中信心最重要的来源是那些成功的道路和成功的历史经验，其中，特色的科技发展和高新技术产业发展道路是共同认可的典型。正是有一些成功的范例和经验，使我们尽管面临艰辛也能大步的走上来。历史给了我们信心，尽管有困难，我们一定能够克服困难坚定地走下去。我国具有大市场的优势，要实现跨越式发展，还需要大家共同努力，脚踏实地，面对困难，提供更多解决方案，以实际行动实现共同发展。
在与会嘉宾的见证下，先进半导体产教融合人才工程启动，工程将以 《第三代半导体产业人才发展指南》为基石，不断推进优质资源的产教融合，并且为产业培养和输送高质量人才，以支撑技术创新和迭代以及产业的生机发展。
此外，2022年国际半导体照明联盟（ISA）“全球半导体照明突出贡献奖”评选揭晓，在支持发展中国家和新型经济体市场向节能照明电器和设备转型中做出积极贡献的联合国环环境署能效联盟获此殊荣。
升级视野思路 探索低碳未来
开幕大会主题论坛环节，五大国际重量级报告从不同角度、不同领域分享国际半导体产业新发展、新方向，兼具高屋建瓴的格局分析与前沿趋势引领，中国科学院特聘研究员、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽与浙江大学教授、浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长盛况联袂主持了大会主题论坛环节。
会上，诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所天野浩教授分享了基于氮化镓和氮化铝化合物材料追求短波长固态光发射器的主题大会报告，报告结合详细的研究数据，指出目前正在改变整个半导体技术从杂质控制的导电性到极化控制导电性的转变。希望有机会提供深远红外激光二极管，并基于此建立新的供应链。
SiC MOSFET具有高温工作损耗低、功率密度高等优势，在新能源汽车、新能源发电、储能、工业电机、消费电子、轨道交通、高压输变电等领域应用前景可观。中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松做了题为“SiC功率MOSFET技术及应用进展”的主题报告。报告中详细介绍了低压碳化硅MOSFET产品研制进展和市场应用情况，以及面向未来应用需求开展高压碳化硅器件技术开发的最新进展。
柏松指出，新能源汽车、光伏和储能等中低压应用推动了碳化硅电力电子产业快速增长。解决高可靠、高电流密度碳化硅MOSFET器件设计、制造、封装等问题是实现持续增长的关键。碳化硅在电网、轨道交通等高压领域的应用优势得到初步展示，亟待联合攻关实现批量工程应用。
在当今的电力电子产品中，质量和可靠性至关重要。当前关注重点主要是在效率、密度和成本上，设计高度定制，方法已达到成熟水平，任何性能属性的进一步改进，可能都会以牺牲效率、功率密度、成本等为代价。此外，制造过程处于劳动密集型，并在很长时期都维持此种状态。与硅对应物相比，新一代宽带隙功率半导体器件（如SiC和GaN）显著降低了传导和开关损耗。当前使用宽禁带半导体材料器件的行业设计实践主要基于“即插即用”概念，类似的设计实践是将开关频率提高 2-3 倍。以这种方式改进是渐进的，未能实现宽禁带半导体材料的真正潜力。
美国弗吉尼亚理工大学大学特聘教授、美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士李泽元（Fred C. Lee）在大会视频主题报告中分享了在不影响效率的情况下，将开关频率提高10倍或更多，以及实现系统级异构集成的方法。在这种集成方法中，效率、功率密度、EMI/EMC 的显著提高同时实现，大多数电力电子产品的制造过程都可以实现自动化，并有望显著降低成本。这种方法与当前的做法有很大的不同，也将有可能实现变革性的变化。
作为第三代半导体材料的典型代表，在电动汽车领域的应用前景可期，蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监李道会做了题为“宽禁带半导体助推电动汽车进程”的主题报告，结合功率半导体器件在电动汽车中的实际应用，比如换电、驱动等，分享了功率半导体在电动汽车中的应用以及未来更智能的EDS。作为国内电动汽车发展的代表性力量，蔚来正积极推动全球化布局，并且非常看好氮化镓器件的应用潜力。李道会指出，目前在DC等应用方面，氮化镓驱动是薄弱项，国内半导体企业和驱动芯片设计企业联手，将更有利于动氮化镓的应用。
近年来，随着人们对不同类型的发光器件的深入研究，新型显示与照明技术得到了相应的发展，这为未来信息显示与照明的多元化应用奠定了良好的基础。随着物联网、云计算、大数据、人工智能、元宇宙等技术和数字经济的兴起，新型显示技术不断迭代，Mini/Micro LED显示技术正成为新兴显示技术新的一极，为显示领域注入了新的成长动力。
