- DDR:Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器。
- DDR SDRAM:是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
- DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM:是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力,即:4bit数据读预取。换句话说,DDR2 内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
- DDR3:是针对Intel新型芯片的一代内存技术(但目前主要用于显卡内存),频率在800M以上。
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- 功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
- 工作频率更高:由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
- 降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存功耗也能进一步降低。
- 通用性好:相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。
- 随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
- 由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
- DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度。
- DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行;
- DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行;
- DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行;
- DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格);
- DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格);
- DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格);
- DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)。
- DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
- DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术,目前主要用于显卡内存。
介绍
DDR3和DDR2相比优势如下:
补充
DDR1规格: