一、中国在第一代半导体材料，以硅（Si）为代表和全球的差距最大。
1、生产设备：几乎所有的晶圆代工厂都会用到美国公司的设备，2019年全球前5名芯片设备生产商3家来自美国；而中国的北方华创、中微半导体、上海微电子等中国优秀的芯片公司只是在刻蚀设备、清洗设备、光刻机等部分细分领域实现突破，设备领域的国产化率还不到20%。
2、应用材料：美国已连续多年位列第一，我国的高端光刻胶几乎依赖进口，全球5大硅晶圆的供应商占据了高达92.8%的产能，美国、日本、韩国的公司具有垄断地位。 ? 3、生产代工：2019年台积电市场占有率高达52%，韩国三星占了18%左右，中国最优秀的芯片制造公司中芯国际只占5%，且在制程上前面两个相差30年的差距。
二、中国第二代半导体材料代表的砷化镓（GaAs）已经有突破的迹象。
1、砷化镓晶圆环节：根据Strategy Analytics数据，2018年前四大砷化镓外延片厂商为IQE（英国）、全新光电（VPEC，台湾）、住友化学（Sumitomo Chemicals，日本）、英特磊（IntelliEPI，台湾），市场占有率分别为54%、25%、13%、6%。CR4高达98%。 ? 2、在砷化镓晶圆制造环节（Foundry+IDM）：台湾系代工厂为主流，稳懋（台湾）一家独大，占据了砷化镓晶圆代工市场的 71%份额，其次为宏捷（台湾）与环宇（GCS，美国），分别为9%和8%。
3、从砷化镓产品来看（PA为主），全球竞争格局也是以欧美产商为主，最大Skyworks（思佳讯），市场占有率为30.7%，其次为Qorvo（科沃，RFMD和TriQuint合并而成），市场份额为28%，第三名为Avago（安华高，博通收购）。这三家都是美国企业。
在砷化镓三大产业链环节：晶圆、晶圆制造代工、核心元器件环节，目前都以欧美、日本和台湾厂商为主导。中国企业起步晚，在产业链中话语权不强。
不过从三个环节来看，已经有突破的迹象。如华为就是将手机射频关键部件PA通过自己研发然后转单给三安光电代工的。 ? 4、中国在以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表第三代半导体材料方面有追赶和超车的良机。
由于第三代半导体材料及应用产业发明并实用于本世纪初年，各国的研究和水平相差不远，国内产业界和专家认为第三代半导体材料成了我们摆脱集成电路（芯片）被动局面，实现芯片技术追赶和超车的良机。就像汽车产业，中国就是利用发展新能源汽车的模式来拉近和美、欧、日系等汽车强国的距离的，并且在某些领域实现了弯道超车、换道超车的局面。三代半材料性能优异、未来应用广泛，如果从这方面赶超是存在机会的。
?中国三代半导体材料相关公司
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