据 etnews称，三星电子和 SK 海力士向光刻机巨头 ASML 订购了下一代半导体设备 High-NA 极紫外光（EUV）设备。继台积电和英特尔之后，韩国半导体制造商也在准备引进能够实现 2nm 工艺的设备。对最先进工艺的竞争预计将加剧。
在 10 月 19 日的财报中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 业务中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的额外订单；目前所有的 EUV 客户都已提交 High-NA 订单。”High-NA EUV 设备是将集光能力的镜头数值孔径（NA）从 0.33 提高到 0.55 的设备。比现有的 EUV 设备处理更精细的半导体电路。业界大多数人认为，High-NA 设备对 2nm 工艺至关重要。
NA （NumericalAperture） 被称作数值孔径，是光学镜头的一个重要指标，一般光刻机设备都会标注该指标数值。
今年 9 月，ASML 表示正在准备向客户交付首台 High-NA EUV 光刻机，大概会在明年某个时间点完成。
英特尔和台积电已经正式宣布引进 High-NA 的 EUV 设备。英特尔在去年宣布整合半导体公司 （IDM 2.0） 的方式，目标是重新进入代工市场时，宣布他们是第一个下定了 High-NA EUV 设备订单。这是为了通过抢先引入下一代设备来追赶台积电和三星电子的系统半导体生产能力。台积电也宣布了订购 High-NA EUV 设备的合同，但三星电子和 SK 海力士没有提到任何关于合同的内容。随着 ASML 的这一宣布，韩国半导体制造商引进 High-NA 设备的做法已经正式确定。然而，三星电子和 SK 海力士表示，关于 High-NA EUV 设备的引进，“这是不能正式披露的事情”。ASML 现有的 EUV 设备客户包括三星电子、SK 海力士、英特尔、台积电、美光等。
由于全球所有的半导体制造公司都向 ASML High-NA EUV 设备下了订单，预计从 2025 年开始大规模生产时，激烈的竞争将展开。High-NA EUV 设备比目前使用的 EUV 设备更昂贵，但它可以一次性实现超精细工艺（单次图案化），这可以极大地提高生产力。就三星电子而言，有必要在 3nm 量产后抢先确保 High-NA EUV 设备用于 2nm 量产。现有的 EUV 设备估计需要 2000 亿韩元（约 10.08 亿元人民币）至 3000 亿韩元（约 15.12 亿元人民币），而韩元 EUV 设备估计需要花费 5000 亿韩元（约 25.2 亿元人民币）。
