中芯国际 FinFET N+1 新突破
中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技(INNOSILICON)昨天发布：已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。
关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露，该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。其曾表示，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%。
据获悉，《珠海特区报》10月11日的报道了《“国产芯”突围刻不容缓》文章，其中写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断，同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。”
