三大巨头在移动通信射频前端市场的毛利率均高于40%，最高可达50%，净利润率在30%左右，说明寡头公司利用自身的技术优势和规模效应，盈利能力较强。其次，三巨头积极开发面向未来的先进技术，以继续保持竞争优势。据信，寡头三大公司在短期内的主导地位将难以撼动。
芯片设计
由于建造晶圆厂的成本很高，进入射频前端的公司现在采用无晶圆厂模式。但与IDM相比，FABLESS在研发进度上可能不如IDM。
亨特森成立于2012年7月，专注于射频/模拟集成电路芯片和SOC系统集成芯片，的开发，以及物联网核心技术芯片和应用解决方案的研发和推广。产品涵盖2G、3G、4G射频前端/功放系列的核心芯片和无线连接芯片，并拥有量产CMOS功放和GaAs功放技术。韩天下通过了三星的产品认证，获得了RF PA公司的订单！
锐迪科微电子(RDA)成立于2004年，致力于射频和混合信号芯片和系统芯片的设计。它是数字基带、射频收发器、功率放大器、射频开关、蓝牙、无线、调频收音机和其他全系列数字和射频产品的集成电路供应商。被紫光，收购后，它与展讯，合并，后者将锐迪科周围的芯片与展讯，的基带大师芯片，合并，并迅速产生协同效应。
络达技术(AIROHA)成立于2001年8月，致力于开发高水平的无线通信集成电路，为客户提供各种高性能、低成本的射频/混合信号集成电路组件和完整的蓝牙/蓝牙低功耗系统单片解决方案。产品主要包括手机功放(PA)、射频开关(T/R Switch)、低噪声功放(LNA)、数字电视和机顶盒卫星(DVB-S/S2)调谐器、WiFi射频收发器和蓝牙系统单片机。作为2017年初在联发科，的投资企业，联发科表示，将有计划收购除络达以外的所有股份，实现完全所有权，这将有利于整合联发科集团的资源，扩大母公司的经营规模，有助于改善母公司的经营状况。
来自RFMD的凡客诚品团队成立于2010年，以主流GaAs技术进入射频功放市场。其主要产品是射频功率放大器，广泛应用于2G/3G/4G手机等智能移动终端。
SmarterMicro成立于2012年，其团队成员来自Skyworks，在集成电路，芯片，从事微波器件和射频仿真设计，采用可重构SOI GaAs混合工艺。
Lansus成立于2015年，其前身是2010年成立的国民技术射频部，专注于射频功率放大器、开关、射频前端等电子元器件的设计，拥有完整的4G射频解决方案。
中普微电子(CUCT)从事射频集成电路的设计、研发和销售。其产品涵盖GSM、W-CDMA、TD-SCDMA、CDMA2000和快速发展的TD-LTE，为2G/3G/4G提供全面的射频前端解决方案。中普微电子前瞻性的TD-LTE射频功率放大器技术凸显了公司能够为全球4G市场提供成熟的射频解决方案。目前，公司的产品因其高性价比而在市场上广受欢迎，并得到了包括品牌所有者在内的许多客户的肯定。
高通是芯片，全球最大的手机供应商，同时也在大力加强芯片射频技术。2015年收购西兰纳半导体射频业务；2016年1月，该公司与TDK成立合资公司RF360 Holdings，以进一步增强公司实力。
海思半导体成立于2004年10月，前身是成立于1991年的华为，集成电路设计中心。它是世界领先的私人有限公司，致力于建设一个更好的互联世界，促进高端视频时代的发展。公司射频收发器可以支持Cat6和Cat12。
目前很多射频器件都在转向SOI技术。与GaAs等制造工艺相比，该制造工艺产量更高、成本更低，更适合芯片新成立的射频前端公司——无晶圆厂公司，相信随着中芯国际、华虹李鸿、芯片，华润微，无晶圆厂公司射频SOI技术的成熟，中国的射频前端将加速崛起。
晶圆代工厂
稳懋半导体(WIN)目前拥有世界上第一个6英寸GaAs晶圆出生的产线，公司拥有三个6英寸GaAs晶圆出生的产线，提供异质结双极晶体管(HBT)和应变异质结高迁移率晶体管(pHEMT)工艺。2016年营收达到新台币13.6亿元，净利润3.1亿元；2016年，公司总生产能力达到35万件，预计三家工厂满负荷年生产能力将超过56万件。
宏捷科技(AWSC)有限公司成立于1998年，由SKYWORKS技术支持，可提供HBT和pHEMT工艺。2008年，公司完成了6英寸GaAs晶圆产线，的建设，年生产能力为15万片。
GCS主要生产4英寸GaAs晶圆，是世界上唯一一家同时拥有射频和光电元件制造技术的复合晶圆代工厂。其85%以上的生产能力用于生产无线射频晶片，6英寸的生产能力是通过与三安的战略联盟建立的
联颖光电(Wavetek)，UMC的一个成员，可以提供HBT和pHEMT工艺。2014年底，自联华收购了原Fab6A产权。通过为150毫米铸造厂提供GaAs和CMOS专业行业最广泛的产品组合，并优化独特的双轨铸造业务模式，它希望在全球特色工艺市场中处于领先地位。
全讯技术公司开发和生产微波组件，如微波(功率)放大器和低噪声放大器，年产量为15，000台4英寸GaAs芯片
海威华芯拥有一条6英寸的GaAs铸造生产线，更致力于提供PHEMT集成电路工艺技术，该技术来自中电的29个研究所
三安集成(SANAIC)专注于微波集成电路和功率器件的高端技术开发，将打造30万片/年6英寸GaAs 产线和6万片/年6英寸GaN 产线，截至2016年底，公司参与了263个客户设计项目，其中19个芯片通过了性能验证，部分客户开始出货，产品涉及2G/3G/4G-LTEPA、WiFiPA、LNA 及光通信，充分证明公司的工艺功能已经满足应用
封装测试
随着前端射频模块的日益复杂，为了满足小型化的要求，有必要将功率放大器、滤波器和开关电路集成到一个芯片中。然而，功率放大器通常采用GaAsHBT工艺制造，滤波器采用射频微机电系统工艺制造，开关采用GaAs pHEMT或SOI工艺制造，这使得它们的集成严重依赖于先进的封装技术。
过滤器
过滤器包括SAW、BAW和FBAR，主要的集中在美日公司手中。
村田拥有高性能的声表面波射频元件，如滤波器、双工器、收发器、谐振器和频率控制器件，并通过一站式服务为射频技术人员提供各种基于声表面波的射频元件。此外，在手机、ISM、GPS/GNSS等频段40 MHz ~ 2.7 GHz的频率范围内，有非常广泛的SAW产品组合。
