据媒体报道，美国智库战略与国际问题研究中心的高级副总裁以及技术政策项目主任詹姆斯·刘易斯表示：“中国国家对于半导体的投资可能是美国的近1000倍，而这样的实力对比，不管怎么说都无法赢。”并且他认为到目前为止，美国在这场竞技赛中遥遥领先，而中国还在后面努力地追赶，然而美国如今存在的最大劣势就是“不愿意花钱”。
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9 月 7 日消息 上周末有关第三代半导体将写入 “十四五规划”的消息引起广泛关注，据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的 “十四五”规划，计划在 2021-2025 年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。
什么是第三代半导体？按业内定义，第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅（Si）的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度大于或等于 2.3 电子伏特，又被称为宽禁带半导体材料。其具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求。
在业内人士看来，第三代半导体更重要的意义是在功率器件领域，通过其特殊的材料特性，改进相关芯片及器件性能。
IT之家了解到，目前，德国的英飞凌、日本的罗姆和美国的 Transphorm 是第三代半导体的主要供应商，但中国巨大的市场需求最能支持国产供应的发展，许多中国半导体企业正在积极进行第三代半导体方面的部署。碳化硅制造商北京天科合达半导体公司刚刚在 2020 年 7 月提交了在上海证券交易所科创板上市的申请，碳化硅模块和解决方案提供商忱芯科技也在 8 月完成了来自天使投资人的新一轮融资。华为通过其投资部门哈勃科技投资持有 10% 股份的天岳晶体，也投资 30 亿元人民币（4.3916 亿美元）在湖南长沙建设 SiC 工厂。
